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Módulo de Potencia IGBT Nuevo, Serie SKIIP83HEC125T1, Paquete de 7MBR, Temperatura de Operación de 20-80°C para Controlador de Gate

Sin reseñas
EUR30319
Cantidad mínima de compra: 1 acre
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Características

Original

Características principales

Número de pieza del fabricante

SKIIP83HEC125T1

Tipo

IGBT Transistor

Marca

FUJI

Descripción

Módulo de potencia IGBT de alta calidad

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Original

Envío

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SKIIP83HEC125T1
Tipo
IGBT Transistor
Marca
FUJI
Descripción
Módulo de potencia IGBT de alta calidad
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Original
Temperatura de funcionamiento
20-80, Original
Serie
7MBR
Uso
Controlador de puerta
Tipo de Proveedor
Agencia, Minorista, Otro
Referencia cruzada
SKIIP83HEC125T1
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Original
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
Original
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Original
Corriente de colector de corte (Max)
Original
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Original
Poder-Max
Original
-Frecuencia de transición
Original
Resistencia Base (R1)
Original
Resistencia-emisor Base (R2)
Original
FET tipo
Original
FET característica
Original
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Original
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Original
Rds (Max) @ Id Vgs
Original
Vgs (th) (Max) @ Id
Original
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Original
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Original
Frecuencia
Original
Corriente nominal (en amperios)
Original
Ruido
Original
Potencia de salida
Original
-Tensión nominal
Original
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Original
Vgs (Max)
Original
Tipo IGBT de
Original
Configuración
Original
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Original
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Original
De entrada
Original
Termistor NTC
Original
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Original
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Original
Corriente de drenaje (Id).
Original
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Original
Resistencia-On (RDS)
Original
Tensión de salida-salida
Original
-Tensión Offset (Vt)
Original
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Original
Corriente de Valle Iv)
Original
Corriente de pico
Original
Tipo de Transistor
IGBT
PAGO
Paypal\TT\Western Union\Garantía comercial
Condición
Nuevo
MÉTODO DE ENVÍO
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\ARAMEX
Plazo de entrega
3-5 días
Garantía
1 año
MOQ
1 unidad
N.º de pieza
SKIIP83HEC125T1
Aplicaciones
Industrial
Tipo de paquete
Orificio pasante
Tipo de montaje
Orificio pasante

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
50X50X50 cm
Peso bruto
25.0 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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