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Transistor IGBT Discreto Original Nuevo de la Marca Fuji FGW75XS65C con Capacidad de 650V/75A, Paquete TO247 de Agencia

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Atributos

FGW75XS65CNúmero de Modelo
Field Stop Trench IGBT, single transistor.Tipo
FUJIMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
IGBT FUJI FGW75XS65C 650V / 75A TO247 packageDescripción
PhilippinesLugar del origen
PAQUETE/cubierta:TO247
Temperatura de funcionamiento:-40°C to +175°C
Serie:Discrete IGBT (XS series)
Uso:Inverter, Welding matchines,
Tipo de Proveedor:Agencia
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto

Características clave

Número de Modelo
FGW75XS65C
Tipo
Field Stop Trench IGBT, single transistor.
Marca
FUJI
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
IGBT FUJI FGW75XS65C 650V / 75A TO247 package
Lugar del origen
Philippines
PAQUETE/cubierta
TO247
Temperatura de funcionamiento
-40°C to +175°C
Serie
Discrete IGBT (XS series)
Uso
Inverter, Welding matchines,
Tipo de Proveedor
Agencia
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto

Empaque y entrega

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Artículo individual

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