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Módulo IGBT Original Nuevo, Tubo KGF75N65KDF-U/H, Transistor de Inserción Directa TO-247, Componente Electrónico Original

Sin reseñas
EUR 0.0869
Cantidad mínima de compra: 1 unidad

Características

KGF75N65KDF

Características principales

Número de pieza del fabricante

KGF75N65KDF

Tipo

Transistor IGBT, -

Marca

-

Tipo de paquete

Orificio pasante

Descripción

ICs Nuevos Originales

Lugar del origen

Other

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Características clave

Número de pieza del fabricante
KGF75N65KDF
Tipo
Transistor IGBT, -
Marca
-
Tipo de paquete
Orificio pasante
Descripción
ICs Nuevos Originales
Lugar del origen
-
PAQUETE/cubierta
TO-247
Temperatura de funcionamiento
-, -
Serie
-55~150
Código de fecha de fabricación
-
Uso
-
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
-
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Tipo de Transistor
-
Tipo de montaje
-, -
Categorías
Componentes electrónicos - Circuitos integrados
Condición
Nuevo y original 100%
Plazo de entrega
En stock, se puede enviar lo antes posible.
Precio
Sujeto a confirmación final
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