Compre Módulo de Diodo Láser DFB de 10 Gbps con Cable Pigtail e Isolador Óptico para Transmisor de Fibra Óptica de Ruta de Retorno CATV para Telecomunicaciones
Sin reseñas
Atributos
OtroTipo
otroPoder-Max
Grado estándar de producción en masa industrialVelocidad
OtroTipo de paquete
otroTipo de montaje
DFB Diodo Láser / FP Diodo Láser / FotoavalanchaTipo de diodo
Configuración:Hermetico TO56/TO-CAN, ventana plana
La tecnología:InAlGaAs DFB sin refrigeración / GaAs FP / InGaAs APD
Uso:Telecomunicaciones, Comunicaciones de Datos, SAN / Indicación, Lápiz Óptico, P
Los medios disponibles:Ficha técnica del producto
Tipo de Proveedor:Nuevo original en stock
Descripción:Tecnología de fabricación de láseres DFB de semiconductores basados en InP
Número de Modelo:BPLD-F3130B-IFA
Marca:BOX
Lugar del origen:Guangdong, China
PAQUETE/cubierta:otro
Tensión de paso máx.:DFB: 1.5V; FP: 2.5V; 10G DFB: 1.5V
Voltaje inverso máx.:DFB(LD):2V; (PD):15V; FP:2V; APD:30V; 10G DFB: LD2
Corriente directa máx.:2.5G DFB: 120mA; FP: 105mA; APD: 10mA; 10G DFB: 100mA
Corriente inversa máx.:≤100nA; Corriente oscura del APD: 0.5nA (Máx.)
-Tensión de pico inversa (Max):Igual que "Voltaje Máximo Inverso"
Actual promedio rectificado (Io):Corriente de funcionamiento típica del láser: 50-65 mA
Configuración de diodo:Chip láser DFB con fotodiodo de monitoreo InGaAs integrado
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.):2V, Monitor PD: 15V
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo):Corriente de funcionamiento del diodo láser ~50mA
Capacitancia Vr F:No aplicable
Corriente máx.:Chip DFB con PD/FP LD integrado (PD opcional)
Resistencia @ si F:APD: 0.6pF (Típ.)@5V, 1MHz
Disipación de potencia (Max):Calculado: DFB<0.3W, FP<0.2W
Capacitancia relación:No aplicable
Impedancia (Max) (Zzt):otro
Tipo de producto:Láser DFB de 2.5G/10G / Láser FP de 650nm / Módulo APD Coaxial
Longitud de onda:DFB: 1270-1610nm / FP: 650nm / APD: 1100-1650nm
Potencia óptica:2.5G DFB: 5mW / 10G DFB: 2-2.5mW / FP: 5mW
Aplicación:Telecomunicaciones, Comunicación de Datos / Indicación / Receptor Analógico
Característica clave:Alto SMSR / Sin refrigeración / Paquete hermético / Alta fiabilidad
Embalaje:TO56 CAN (DFB) / TO-18 Pigtail (FP) / Coaxial FC/APC
Temperatura de funcionamiento:DFB: -20~85℃ / FP: -10~80℃ / APD: -40~85℃
Tensión directa:DFB: ~1.2V / FP: ~2.1V / APD: N/A
Monitor de PD:Integrado (DFB) / Opcional (FP) / N/A (APD)
Corriente máxima:LD: 100-120mA / APD: 10mA
Características clave
Tipo
Otro
Poder-Max
otro
Velocidad
Grado estándar de producción en masa industrial
Tipo de paquete
Otro
Tipo de montaje
otro
Tipo de diodo
DFB Diodo Láser / FP Diodo Láser / Fotoavalancha
Configuración
Hermetico TO56/TO-CAN, ventana plana
La tecnología
InAlGaAs DFB sin refrigeración / GaAs FP / InGaAs APD
Uso
Telecomunicaciones, Comunicaciones de Datos, SAN / Indicación, Lápiz Óptico, P
Los medios disponibles
Ficha técnica del producto
Tipo de Proveedor
Nuevo original en stock
Descripción
Tecnología de fabricación de láseres DFB de semiconductores basados en InP
Número de Modelo
BPLD-F3130B-IFA
Marca
BOX
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
otro
Tensión de paso máx.
DFB: 1.5V; FP: 2.5V; 10G DFB: 1.5V
Voltaje inverso máx.
DFB(LD):2V; (PD):15V; FP:2V; APD:30V; 10G DFB: LD2
Corriente directa máx.
2.5G DFB: 120mA; FP: 105mA; APD: 10mA; 10G DFB: 100mA
Corriente inversa máx.
≤100nA; Corriente oscura del APD: 0.5nA (Máx.)
-Tensión de pico inversa (Max)
Igual que "Voltaje Máximo Inverso"
Actual promedio rectificado (Io)
Corriente de funcionamiento típica del láser: 50-65 mA
Configuración de diodo
Chip láser DFB con fotodiodo de monitoreo InGaAs integrado
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
2V, Monitor PD: 15V
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
Corriente de funcionamiento del diodo láser ~50mA
Capacitancia Vr F
No aplicable
Corriente máx.
Chip DFB con PD/FP LD integrado (PD opcional)
Resistencia @ si F
APD: 0.6pF (Típ.)@5V, 1MHz
Disipación de potencia (Max)
Calculado: DFB<0.3W, FP<0.2W
Capacitancia relación
No aplicable
Impedancia (Max) (Zzt)
otro
Tipo de producto
Láser DFB de 2.5G/10G / Láser FP de 650nm / Módulo APD Coaxial
Longitud de onda
DFB: 1270-1610nm / FP: 650nm / APD: 1100-1650nm
Potencia óptica
2.5G DFB: 5mW / 10G DFB: 2-2.5mW / FP: 5mW
Aplicación
Telecomunicaciones, Comunicación de Datos / Indicación / Receptor Analógico
Característica clave
Alto SMSR / Sin refrigeración / Paquete hermético / Alta fiabilidad
Embalaje
TO56 CAN (DFB) / TO-18 Pigtail (FP) / Coaxial FC/APC
Temperatura de funcionamiento
DFB: -20~85℃ / FP: -10~80℃ / APD: -40~85℃
Tensión directa
DFB: ~1.2V / FP: ~2.1V / APD: N/A
Monitor de PD
Integrado (DFB) / Opcional (FP) / N/A (APD)
Corriente máxima
LD: 100-120mA / APD: 10mA
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