Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
36 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:2,375 V ~ 2,625 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:2M por 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
