Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
9 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:512 mil x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
