Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4,5 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256 mil x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
