Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:2,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:16 megahercios
Organización de la memoria:128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
