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Características principales

Número de pieza del fabricante

NP50N04YUK-E1-AY

Marca

Original

Descripción

MOSFET de potencia de baja tensión

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-HSON (5x5.4)

Temperatura de funcionamiento

175°C

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NP50N04YUK-E1-AY
Marca
Original
Descripción
MOSFET de potencia de baja tensión
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-HSON (5x5.4)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
4.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3200 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

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Artículo individual
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1X1X1 cm
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