Compre Componentes Electrónicos en Línea 8 XFDFN Exposed Pad GD25D10EEIGR Memoria en Existencia
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4.5
(2 reseñas)






Atributos
FLASH - NO (SLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
128K por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos en Línea
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:104 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:100 µs, 4 ms
Interfaz de Memoria:SPI - Entrada/Salida Dual
Características clave
La tecnología
FLASH - NO (SLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
128K por 8
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos en Línea
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
100 µs, 4 ms
Frecuencia de reloj
104 megahercios
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
1 Mbit
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
SPI - Entrada/Salida Dual
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
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