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Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
IMZA65R026M2HXKSA1Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
PG-TO247-4-8Package / Case
Description:IMZA65R026M2HXKSA1
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
IMZA65R026M2HXKSA1
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
PG-TO247-4-8
Description
IMZA65R026M2HXKSA1
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 952
≥ 3,100 unidades
EUR 477
Variantes
ElegirCaracterísticas
IMZA65R026M2HXKSA1
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