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Número de pieza del fabricante

IXFV12N120PS

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PLUS-220SMD

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IXFV12N120PS
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PLUS-220SMD
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
HiPerFET, PolarP2
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
1.35Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
5400 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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