





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico Bom Service
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
-Tensión de alimentación:2,375 V ~ 2,625 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:1M x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo














