





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
9 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:512 mil x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo














