Compre Componentes Electrónicos en Línea, Memoria 119 BGA 71T75602S200BG BOM IC en Existencia
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Atributos
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
512 mil x 36Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:A granel
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
-Tensión de alimentación:2,375 V ~ 2,625 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
512 mil x 36
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
2,375 V ~ 2,625 V
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
18 megabits
Tipo de embajaje
A granel
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
32 - 3,031 unidades
EUR 406
>= 3,032 unidades
EUR 203
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71T75602S200B
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