Compre Componentes Electrónicos en Línea Memoria 119 BGA 71T75902S75BG En Stock
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Atributos
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
1M x 18Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:A granel
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación:2,375 V ~ 2,625 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
1M x 18
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
18 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
A granel
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación
2,375 V ~ 2,625 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
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1X1X1 cm
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