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5,000-9,999 unidades
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≥10,000 unidades

Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

MT53E128M32D2FW-046 AAT:A

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

4Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
4Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
Tipo de embajaje
Caja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 105°C (TC)
PAQUETE/cubierta
200-TFBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación
1.06V ~ 1.17V
Frecuencia de reloj
2.133 GHz
Organización de la memoria
128M x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
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