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Atributos
SRAM - Sincrónico, QDR IVLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
8M por 18Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
144 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Kit de Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación:1,26 V ~ 1,34 V
Frecuencia de reloj:1,066 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Sincrónico, QDR IV
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
8M por 18
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
144 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación
1,26 V ~ 1,34 V
Frecuencia de reloj
1,066 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
600 - 3,599 unidades
EUR 11301
>= 3,600 unidades
EUR 5651
Variantes
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CY7C4122KV13 106FCXC
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