Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
144 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, QDR IV
-Tensión de alimentación:1,26 V ~ 1,34 V
Frecuencia de reloj:1,066 GHz
Organización de la memoria:8M por 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
