Compre Componentes Electrónicos en Línea, Memoria 78 VFBGA W632GG8NB-12 TR BOM IC en Existencia
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Atributos
SDRAM - DDR3La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256M por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación:1,425 V ~ 1,575 V
Frecuencia de reloj:800 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:SSTL_15
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR3
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256M por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación
1,425 V ~ 1,575 V
Frecuencia de reloj
800 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
SSTL_15
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