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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

A1F25M12W2-F1

Marca

Original

Descripción

MOSFET 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Módulo

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
Configuración
4 N-Channel
Poder-Max
-
PAQUETE/cubierta
Módulo
Descripción
MOSFET 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
Número de pieza del fabricante
A1F25M12W2-F1
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
50A
Rds (Max) @ Id Vgs
34mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.9V @ 5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
147nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3500pF @ 800V
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
Bandeja
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
4 canales N

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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