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Número de pieza del fabricante

IAUS300N10S5N014ATMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-HSOG-8-1

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IAUS300N10S5N014ATMA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-HSOG-8-1
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
OptiMOS
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
360A (Tj)
Rds (Max) @ Id Vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 275µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
216 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
16011 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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