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Compre Componentes Electrónicos en Línea, Transistores SI4562DY-T1-GE3 8-SolC, Servicio Integral Original

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SI4562DY-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SI4562DY-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
2W
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Configuración
N and P-Channel
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
Canal N y P

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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