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Características principales

Número de pieza del fabricante

SQ4284EY-T1_GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SQ4284EY-T1_GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
3.9W
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
13.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2200pF @ 25V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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