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Número de pieza del fabricante

EPC2307

Marca

Original

Descripción

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

7-QFN (3x5)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
EPC2307
Marca
Original
Descripción
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
7-QFN (3x5)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
eGaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
48A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
10mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1401 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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