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Número de pieza del fabricante

IMW120R045M1XKSA1

Marca

Original

Descripción

SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TO247-3-41

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IMW120R045M1XKSA1
Marca
Original
Descripción
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TO247-3-41
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
CoolSiC
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
52A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1900 pF @ 800 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
15V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

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