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Número de pieza del fabricante

IPP16CN10NGXKSA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TO220-3

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IPP16CN10NGXKSA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TO220-3
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
OptiMOS
Código de fecha de fabricación
NEW
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
53A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
16.5mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3220 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
A través del agujero
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

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