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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

R6530ENXC7G

Marca

Original

Descripción

650V 30A TO-220FM, BAJA RUIDOSIDAD

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-220FM

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
R6530ENXC7G
Marca
Original
Descripción
650V 30A TO-220FM, BAJA RUIDOSIDAD
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-220FM
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 960µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2100 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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