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4.6
(3 reseñas)
Atributos
FLASH - NAND (SLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
128G por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:52 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:UFS2.1
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
128G por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 Tbit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
52 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
UFS2.1
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