Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:112 megahercios
Organización de la memoria:64M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:50 µs, 1 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI, DTR
