





Atributos
OriginalMarca
70V657S10BCNúmero de Modelo
Montaje en superficieTipo de montaje
NuevoCódigo de fecha de fabricación
ChinaLugar del origen
Componente y parteTipo
Descripción:IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
Aplicación:Memoria
Serie:Memoria
Características:Componentes electrónicos del circuito integrado
Voltaje de salida:3,15 V ~ 3,45 V
Tipo de salida:Estándar
Paquete:Bandeja
Tamaño de memoria:1.125Mbit
Organización de la memoria:32K x 36
Interfaz de memoria:Paralelo
Frecuencia de reloj:--
Tiempo de acceso:10 NS














