find similar
UNITE CHANCE CO., LIMITED logo
UNITE CHANCE CO., LIMITED
HK1 año
5/5(1)
Calificación de la tienda
≤2h
Tiempo de respuesta
≥100%
Tasa de entregas a tiempo
40%
Tasa de recompra

Principales mercados: Estados Unidos de América, Turquía, República de Corea, India, Argentina

Compre Componentes Electrónicos en Línea 4-DFN-EP TW123V65C, Transistores LQ BOM IC en Stock

Sin reseñas
EUR 9.94
100-3,099 unidades
EUR 4.97
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

TW123V65C,LQ

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH SIC, 650 V, 0.123 OH

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

4-DFN-EP (8x8)

Temperatura de funcionamiento

175°C

Envío

Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
Subtotal del artículo
EUR 0.00
Total del envío
Por definir
Total antes de impuestos
EUR 0.00

Protección de pedidos de Alibaba.com

Pagos seguros

Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

Garantía de devolución de dinero

Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto

Solo los pedidos realizados y pagados a través de Alibaba.com reciben la protección gratuita de

Pagos y financiación

4 pagos sin intereses con

Características clave

Número de pieza del fabricante
TW123V65C,LQ
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH SIC, 650 V, 0.123 OH
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
4-DFN-EP (8x8)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1.2mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
600 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
18V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiC (Transistor de Unión de Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Reportar actividad sospechosa
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores