Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:3,135V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:10 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
