Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR3
-Tensión de alimentación:1,425 V ~ 1,575 V
Frecuencia de reloj:800 megahercios
Organización de la memoria:1G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
