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Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF6802SDTR1PBF

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

DirectFET Isométrico SA

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF6802SDTR1PBF
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
DirectFET Isométrico SA
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
HEXFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
1.7W
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
25V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
16A
Rds (Max) @ Id Vgs
4.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 35µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1350pF @ 13V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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