Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR3
-Tensión de alimentación:1,425 V ~ 1,575 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Organización de la memoria:512M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
