





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico
-Tensión de alimentación:2,4 V ~ 2,6 V
Frecuencia de reloj:167 megahercios
Organización de la memoria:1M x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:tiempo horario estándar














