Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR2
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:ONFI
