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Atributos
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2La tecnología
No Volátil, VolátilTipo de memoria
128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2)Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 Gbit (NAND), 2 Gbit (LPDDR2)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado (IC)
-Tensión de alimentación:1,8 voltios
Frecuencia de reloj:533 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Tipo de memoria
No Volátil, Volátil
Organización de la memoria
128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2)
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 Gbit (NAND), 2 Gbit (LPDDR2)
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado (IC)
-Tensión de alimentación
1,8 voltios
Frecuencia de reloj
533 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
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>= 3,100 unidades
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