Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
32 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
CajaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:PSRAM (Pseudo SRAM)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:2M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
