Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPSDR móvil
-Tensión de alimentación:2,3 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj:125 megahercios
Organización de la memoria:8M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
