Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 Mbit (FLASH), 128 Mbit (RAM)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NOR, memoria PSRAM
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:16M por 16, 8M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
