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Atributos

CAB006M12GM3TNúmero de Modelo
Montaje del chasisTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
ModulePackage / Case
Description:MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Package:Box
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:2 N-Channel (Half Bridge)

Características clave

Número de Modelo
CAB006M12GM3T
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
Module
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Package
Box
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

100 - 3,099 unidades
EUR 24686
>= 3,100 unidades
EUR 12344

Variantes

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Características

CAB006M12GM3T

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