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Características principales

Número de pieza del fabricante

NTMS4816NR2G

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-SOIC

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 155°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NTMS4816NR2G
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 155°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
6.8A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
10mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1060 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel, a granel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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