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C3M0015065K Módulo MOSFET SiC DE PÉRDIDA ultrabaja Carburo de silicio con producto de transistores de resistencia de Estado bajo de alta eficiencia

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Atributos

C3M0015065KNúmero de Modelo
Encapsulado de TRANSISTOR RFTipo
Agujero de labranzaTipo de paquete
SiC, MOSFET, 15mOhm, 650V, TO-247-4, IndustrialDescripción
ChinaLugar del origen
TO-247-4PAQUETE/cubierta
Temperatura de funcionamiento:-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Serie:C3M
d/c:15V
Uso:Industrial
Tipo de Proveedor:Agencia
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):55.8A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):188 nC @ 15 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:21mOhm @ 55.8A, 15V
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:3,6 V @ 15.5mA
Poder-Max:416W (Tc)
-Frecuencia de transición:5011 pF
Tipo de Montaje:A través del agujero
FET tipo:MOSFETs
FET característica:Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss):C3M0015065K
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:C3M0015065K
Rds (Max) @ Id Vgs:C3M0015065K
Vgs (th) (Max) @ Id:C3M0015065K
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:C3M0015065K
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):C3M0015065K
Frecuencia:C3M0015065K
Corriente nominal (en amperios):C3M0015065K
Ruido:C3M0015065K
Potencia de salida:C3M0015065K
-Tensión nominal:C3M0015065K
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):C3M0015065K
Vgs (Max):C3M0015065K
Tipo IGBT de:C3M0015065K
Configuración:SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:C3M0015065K
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:C3M0015065K
De entrada:C3M0015065K
Termistor NTC:C3M0015065K
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):C3M0015065K
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):C3M0015065K
Corriente de drenaje (Id).:C3M0015065K
-Tensión de corte (VGS) @ Id:C3M0015065K
Resistencia-On (RDS):C3M0015065K
Tensión de salida-salida:C3M0015065K
-Tensión Offset (Vt):C3M0015065K
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):C3M0015065K
Corriente de Valle Iv):C3M0015065K
Corriente de pico:C3M0015065K
Tipo de Transistor:MOSFETs de SiC
Tipo de montaje:A través del agujero
Tipo:Transistor de efecto de campo
Paquete/caso:TO-220-3
Serie:StripFE
D/C:Más reciente
Pago:Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Paquete:Carrete
Configuración:Soltero
Nombre del producto:Transistor IC Componente electrónico
Envío POR:DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Servicio:Lista de Bom
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:24X18X16 cm
Peso bruto:1.000 kg

Características clave

Número de Modelo
C3M0015065K
Tipo
Encapsulado de TRANSISTOR RF
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
SiC, MOSFET, 15mOhm, 650V, TO-247-4, Industrial
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-4
Temperatura de funcionamiento
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Serie
C3M
d/c
15V
Uso
Industrial
Tipo de Proveedor
Agencia
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
55.8A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
188 nC @ 15 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
21mOhm @ 55.8A, 15V
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
3,6 V @ 15.5mA
Poder-Max
416W (Tc)
-Frecuencia de transición
5011 pF
Tipo de Montaje
A través del agujero
FET tipo
MOSFETs
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
C3M0015065K
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
C3M0015065K
Rds (Max) @ Id Vgs
C3M0015065K
Vgs (th) (Max) @ Id
C3M0015065K
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
C3M0015065K
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
C3M0015065K
Frecuencia
C3M0015065K
Corriente nominal (en amperios)
C3M0015065K
Ruido
C3M0015065K
Potencia de salida
C3M0015065K
-Tensión nominal
C3M0015065K
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
C3M0015065K
Vgs (Max)
C3M0015065K
Tipo IGBT de
C3M0015065K
Configuración
SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
C3M0015065K
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
C3M0015065K
De entrada
C3M0015065K
Termistor NTC
C3M0015065K
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
C3M0015065K
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
C3M0015065K
Corriente de drenaje (Id).
C3M0015065K
-Tensión de corte (VGS) @ Id
C3M0015065K
Resistencia-On (RDS)
C3M0015065K
Tensión de salida-salida
C3M0015065K
-Tensión Offset (Vt)
C3M0015065K
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
C3M0015065K
Corriente de Valle Iv)
C3M0015065K
Corriente de pico
C3M0015065K
Tipo de Transistor
MOSFETs de SiC
Tipo de montaje
A través del agujero
Tipo
Transistor de efecto de campo
Paquete/caso
TO-220-3
Serie
StripFE
D/C
Más reciente
Pago
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Paquete
Carrete
Configuración
Soltero
Nombre del producto
Transistor IC Componente electrónico
Envío POR
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Servicio
Lista de Bom

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Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
24X18X16 cm
Peso bruto
1.000 kg

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