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Transistores CGD65B130SH2 8-DFN, Componentes Electrónicos en Stock

Sin reseñas
EUR369
100-3,099 unidades
EUR185
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

CGD65B130SH2

Marca

Original

Descripción

GAN HEMT de 650V, 130MOHM, DFN5X6.

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-DFN (5x6)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
CGD65B130SH2
Marca
Original
Descripción
GAN HEMT de 650V, 130MOHM, DFN5X6.
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-DFN (5x6)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
ICeGaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
12A
Rds (Max) @ Id Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.2V @ 4.2mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
12V
Vgs (Max)
+20V, -1V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Cinta cortada (CT)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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