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Transistor Mosfet CSD16570Q5B, Canal N, 25 V, 100 A (Ta), 3.2 W (Ta), 195 W (Tc), SMD 8-PowerTDFN CSD16570Q5B

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Características

CSD16570Q5B

Características principales

Número de pieza del fabricante

CSD16570Q5B

Tipo

ESTÁNDAR

Marca

Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.

Tipo de paquete

ESTÁNDAR

Descripción

ESTÁNDAR

Lugar del origen

Guangdong, China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
CSD16570Q5B
Tipo
ESTÁNDAR
Marca
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Tipo de paquete
ESTÁNDAR
Descripción
ESTÁNDAR
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
8-PowerTDFN
Código de fecha de fabricación
ESTÁNDAR
Uso
ESTÁNDAR
Los medios disponibles
ESTÁNDAR
Poder-Max
3.2W (Ta), 195W (Tc)
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
25 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
100A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.9V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
14000 pF @ 12 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
STANDARD, Montaje Superficial

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