CSD25501F3 MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA Chip IC Original Nuevo en Stock
Puntuación de la tienda:
5.0
(4 reseñas)
Atributos
MOSFETTipo
3-LGA (0.73x0.64)Tipo de paquete
OriginalTipo de montaje
OriginalFET característica
OriginalConfiguración
Hoja de DatosLos medios disponibles
Poder-Max:Original
PAQUETE/cubierta:3-LGA (0.73x0.64)
Descripción:NUEVO
Número de pieza del fabricante:CSD25501F3
Marca:Original
Lugar del origen:Original
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie:IC
Código de fecha de fabricación:Original
Referencia cruzada:Original
Corriente de colector (Ic) (máx.):Original
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):Original
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:Original
Corriente de colector de corte (Max):Original
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:Original
-Frecuencia de transición:Original
Resistencia Base (R1):Original
Resistencia-emisor Base (R2):Original
FET tipo:Original
Tensión de drenador a fuente (Vdss):Original
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:Original
Rds (Max) @ Id Vgs:Original
Vgs (th) (Max) @ Id:Original
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Original
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Original
Frecuencia:Original
Corriente nominal (en amperios):Original
Ruido:Original
Potencia de salida:Original
-Tensión nominal:Original
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Original
Vgs (Max):Original
Tipo IGBT de:Original
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Original
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Original
De entrada:Original
Termistor NTC:Original
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Original
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Original
Corriente de drenaje (Id).:Original
-Tensión de corte (VGS) @ Id:Original
Resistencia-On (RDS):Original
Tensión de salida-salida:Original
-Tensión Offset (Vt):Original
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):Original
Corriente de Valle Iv):Original
Corriente de pico:Original
Tipo de Transistor:Original
Tipo de montaje:Original
Nombre del producto:MCU
Stock:en stock
Plazo de entrega:1-7 días hábiles
Envío:DHL\UPS\FEDEX\EMS
Embalaje:Embalaje original
Calidad:Original
Garantía:30-120 días
Más cantidad:Precio negociable
Ficha técnica:Por favor contáctenos
Proveedores:Apexcore
Características clave
Tipo
MOSFET
Tipo de paquete
3-LGA (0.73x0.64)
Tipo de montaje
Original
FET característica
Original
Configuración
Original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Poder-Max
Original
PAQUETE/cubierta
3-LGA (0.73x0.64)
Descripción
NUEVO
Número de pieza del fabricante
CSD25501F3
Marca
Original
Lugar del origen
Original
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
IC
Código de fecha de fabricación
Original
Referencia cruzada
Original
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Original
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
Original
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Original
Corriente de colector de corte (Max)
Original
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Original
-Frecuencia de transición
Original
Resistencia Base (R1)
Original
Resistencia-emisor Base (R2)
Original
FET tipo
Original
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Original
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Original
Rds (Max) @ Id Vgs
Original
Vgs (th) (Max) @ Id
Original
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Original
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Original
Frecuencia
Original
Corriente nominal (en amperios)
Original
Ruido
Original
Potencia de salida
Original
-Tensión nominal
Original
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Original
Vgs (Max)
Original
Tipo IGBT de
Original
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Original
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Original
De entrada
Original
Termistor NTC
Original
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Original
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Original
Corriente de drenaje (Id).
Original
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Original
Resistencia-On (RDS)
Original
Tensión de salida-salida
Original
-Tensión Offset (Vt)
Original
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Original
Corriente de Valle Iv)
Original
Corriente de pico
Original
Tipo de Transistor
Original
Tipo de montaje
Original
Nombre del producto
MCU
Stock
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1-7 días hábiles
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Embalaje
Embalaje original
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30-120 días
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