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Transistores CSD85301Q2 6-WDFN con Pad Expuesto, Compre Componentes Electrónicos Originales en Línea

Sin reseñas
EUR 0.4326
100-3,099 unidades
EUR 0.2163
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

CSD85301Q2

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-WDFN con pad expuesto

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
CSD85301Q2
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
6-WDFN con pad expuesto
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
NexFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
2.3W
FET característica
La lógica de puerta de nivel 5V Coche
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
5A
Rds (Max) @ Id Vgs
27mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
469pF @ 10V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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