Diodo Láser CWDM 2 5G 5mW 1290 1410nm y 650nm FP, Alta Fiabilidad, Sin Refrigeración, Paquete TO56 TO18
Sin reseñas
Atributos
Diodo Láser / FotodiodoTipo
otroPotencia máxima
Grado industrial, alta fiabilidadVelocidad
Paquete Metálico Hermético / Módulo Pigtail CoaxialTipo de paquete
otroTipo de montaje
Diodo Láser DFB / Diodo Láser FP / Fotodiodo APDTipo de diodo
Configuración:DFB: TO56 Ventana Plana / FP: TO-18 con Pigtail / A
La tecnología:DFB de InAlGaAs / FP de GaAs / APD de InGaAs
Uso:Telecomunicaciones, Comunicación de Datos, SAN / Indicación, Lápiz Luminoso
Los medios disponibles:Ficha técnica del producto
Tipo de Proveedor:Nuevo original en stock
Descripción:Láser DFB no refrigerado CWDM de 2.5G, encapsulado hermético TO56 con monitor PD integrado.
Número de pieza del fabricante:BAPD-50P10B-FA(M6)
Marca:BOX
Lugar del origen:Guangdong, China
Paquete / Carcasa:DFB/FP: TO-CAN (TO56/TO-18) / APD: Coaxial con pigtail
Tensión de paso máx.:Láser DFB/FP: 1.6V / 2.5V
Voltaje inverso máx.:Láser DFB (LD): 2V; Monitor PD: 15V / APD: 30V
Corriente directa máx.:Láser DFB: 120mA / Láser FP: 105mA
Corriente inversa máx.:Monitor DFB PD: ≤100nA / APD: 0.5nA (Típ.)
Tensión inversa de pico (máx.):Igual que "Tensión Máxima Inversa"
Actual promedio rectificado (Io):Corriente de funcionamiento típica del láser: 50-65 mA
Configuración de diodo:Chip DFB con PD / FP LD integrado (PD opcional)
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.):DFB(LD): 2V; (PD): 15V / APD: 30V
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo):Corriente operativa promedio por diodo láser
Capacitancia Vr F:APD: 0.6pF (Típ.)@5V, 1MHz
Corriente - Máx.:Láser DFB: 120mA / Láser FP: 105mA
Resistencia @ si F:Resistencia dinámica (Ver curva I-V)
Disipación de potencia (Max):Determinado por Vf e If, típ.<0,3W
Capacitancia relación:No Aplica
Impedancia (Max) (Zzt):otro
Tipo de Producto:Láser CWDM DFB / Láser FP de 650nm / Módulo APD Coaxial
Longitud de onda:DFB: 1290-1410 nm; FP: 650 nm; APD: 1100-1650 nm
Potencia de Salida Óptica:DFB/FP: 5-6 mW; APD: 0,85 A/W a 1310 nm
Especificaciones Clave Eléctricas/Ópticas:DFB: SMSR >30dB; APD: Ganancia M=10, Ancho de banda 1GHz
Voltaje/Corriente de Operación:DFB: Vop 1.2V; FP: Vf 2.1V; APD: Vr 5V
Paquete:DFB: TO56 (TO-CAN); FP: Pigtail TO-18; APD: Coaxial FC/APC
Temperatura de funcionamiento:DFB: -20 a +85℃FP: -10 a +80℃; APD: -40 a +85℃
Monitor de fotodiodo:DFB: Integrado; FP: Opcional; APD: N/A
Característica clave:DFB: Heteroestructura Enterrada; FP: Monomodo; APD: Baja Corriente Oscura
Aplicación Principal:Telecomunicaciones, Comunicación de Datos; Indicación; Receptor Analógico
Características clave
Tipo
Diodo Láser / Fotodiodo
Potencia máxima
otro
Velocidad
Grado industrial, alta fiabilidad
Tipo de paquete
Paquete Metálico Hermético / Módulo Pigtail Coaxial
Tipo de montaje
otro
Tipo de diodo
Diodo Láser DFB / Diodo Láser FP / Fotodiodo APD
Configuración
DFB: TO56 Ventana Plana / FP: TO-18 con Pigtail / A
La tecnología
DFB de InAlGaAs / FP de GaAs / APD de InGaAs
Uso
Telecomunicaciones, Comunicación de Datos, SAN / Indicación, Lápiz Luminoso
Los medios disponibles
Ficha técnica del producto
Tipo de Proveedor
Nuevo original en stock
Descripción
Láser DFB no refrigerado CWDM de 2.5G, encapsulado hermético TO56 con monitor PD integrado.
Actual promedio rectificado (Io)
Corriente de funcionamiento típica del láser: 50-65 mA
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
Corriente operativa promedio por diodo láser
Capacitancia Vr F
APD: 0.6pF (Típ.)@5V, 1MHz
Capacitancia relación
No Aplica
Configuración de diodo
Chip DFB con PD / FP LD integrado (PD opcional)
Corriente - Máx.
Láser DFB: 120mA / Láser FP: 105mA
Corriente directa máx.
Láser DFB: 120mA / Láser FP: 105mA
Corriente inversa máx.
Monitor DFB PD: ≤100nA / APD: 0.5nA (Típ.)
Disipación de potencia (Max)
Determinado por Vf e If, típ.<0,3W
Impedancia (Max) (Zzt)
otro
Lugar del origen
Guangdong, China
Marca
BOX
Número de pieza del fabricante
BAPD-50P10B-FA(M6)
Paquete / Carcasa
DFB/FP: TO-CAN (TO56/TO-18) / APD: Coaxial con pigtail
Resistencia @ si F
Resistencia dinámica (Ver curva I-V)
Tensión de paso máx.
Láser DFB/FP: 1.6V / 2.5V
Tensión inversa de pico (máx.)
Igual que "Tensión Máxima Inversa"
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
DFB(LD): 2V; (PD): 15V / APD: 30V
Voltaje inverso máx.
Láser DFB (LD): 2V; Monitor PD: 15V / APD: 30V
Tipo de Producto
Láser CWDM DFB / Láser FP de 650nm / Módulo APD Coaxial
Longitud de onda
DFB: 1290-1410 nm; FP: 650 nm; APD: 1100-1650 nm
Potencia de Salida Óptica
DFB/FP: 5-6 mW; APD: 0,85 A/W a 1310 nm
Especificaciones Clave Eléctricas/Ópticas
DFB: SMSR >30dB; APD: Ganancia M=10, Ancho de banda 1GHz
Voltaje/Corriente de Operación
DFB: Vop 1.2V; FP: Vf 2.1V; APD: Vr 5V
Paquete
DFB: TO56 (TO-CAN); FP: Pigtail TO-18; APD: Coaxial FC/APC
Temperatura de funcionamiento
DFB: -20 a +85℃FP: -10 a +80℃; APD: -40 a +85℃
Monitor de fotodiodo
DFB: Integrado; FP: Opcional; APD: N/A
Característica clave
DFB: Heteroestructura Enterrada; FP: Monomodo; APD: Baja Corriente Oscura
Aplicación Principal
Telecomunicaciones, Comunicación de Datos; Indicación; Receptor Analógico
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
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Logotipo personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Personalización gráfica(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
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Cantidad mínima de compra: 1 unidad
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