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Shenzhen Box Optronics Technology Co., Limited logo
Shenzhen Box Optronics Technology Co., Limited
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Diodo Láser CWDM 2 5G 5mW 1290 1410nm y 650nm FP, Alta Fiabilidad, Sin Refrigeración, Paquete TO56 TO18

Sin reseñas
EUR1805
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
Características
Opciones de personalización
Logotipo personalizado (Pedido mínimo: 1.000 unidades)
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 1.000 unidades)
Personalización gráfica (Pedido mínimo: 1.000 unidades)

Características principales

Tipo de montaje

otro

Número de pieza del fabricante

BAPD-50P10B-FA(M6)

Marca

BOX

Descripción

Láser DFB no refrigerado CWDM de 2.5G, encapsulado hermético TO56 con monitor PD integrado.

Tipo

Diodo Láser / Fotodiodo

Lugar del origen

Guangdong, China

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Características clave

Tipo de montaje
otro
Número de pieza del fabricante
BAPD-50P10B-FA(M6)
Marca
BOX
Descripción
Láser DFB no refrigerado CWDM de 2.5G, encapsulado hermético TO56 con monitor PD integrado.
Tipo
Diodo Láser / Fotodiodo
Lugar del origen
Guangdong, China
Tipo de paquete
Paquete Metálico Hermético / Módulo Pigtail Coaxial
Paquete / Carcasa
DFB/FP: TO-CAN (TO56/TO-18) / APD: Coaxial con pigtail
Uso
Telecomunicaciones, Comunicación de Datos, SAN / Indicación, Lápiz Luminoso
Tipo de Proveedor
Nuevo original en stock
Los medios disponibles
Ficha técnica del producto
Tensión de paso máx.
Láser DFB/FP: 1.6V / 2.5V
Voltaje inverso máx.
Láser DFB (LD): 2V; Monitor PD: 15V / APD: 30V
Corriente directa máx.
Láser DFB: 120mA / Láser FP: 105mA
Corriente inversa máx.
Monitor DFB PD: ≤100nA / APD: 0.5nA (Típ.)
Tipo de diodo
Diodo Láser DFB / Diodo Láser FP / Fotodiodo APD
La tecnología
DFB de InAlGaAs / FP de GaAs / APD de InGaAs
Tensión inversa de pico (máx.)
Igual que "Tensión Máxima Inversa"
Actual promedio rectificado (Io)
Corriente de funcionamiento típica del láser: 50-65 mA
Configuración de diodo
Chip DFB con PD / FP LD integrado (PD opcional)
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
DFB(LD): 2V; (PD): 15V / APD: 30V
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
Corriente operativa promedio por diodo láser
Velocidad
Grado industrial, alta fiabilidad
Capacitancia Vr F
APD: 0.6pF (Típ.)@5V, 1MHz
Corriente - Máx.
Láser DFB: 120mA / Láser FP: 105mA
Resistencia @ si F
Resistencia dinámica (Ver curva I-V)
Disipación de potencia (Max)
Determinado por Vf e If, típ.<0,3W
Capacitancia relación
No Aplica
Configuración
DFB: TO56 Ventana Plana / FP: TO-18 con Pigtail / A
Potencia máxima
otro
Impedancia (Max) (Zzt)
otro
Tipo de Producto
Láser CWDM DFB / Láser FP de 650nm / Módulo APD Coaxial
Longitud de onda
DFB: 1290-1410 nm; FP: 650 nm; APD: 1100-1650 nm
Potencia de Salida Óptica
DFB/FP: 5-6 mW; APD: 0,85 A/W a 1310 nm
Especificaciones Clave Eléctricas/Ópticas
DFB: SMSR >30dB; APD: Ganancia M=10, Ancho de banda 1GHz
Voltaje/Corriente de Operación
DFB: Vop 1.2V; FP: Vf 2.1V; APD: Vr 5V
Paquete
DFB: TO56 (TO-CAN); FP: Pigtail TO-18; APD: Coaxial FC/APC
Temperatura de funcionamiento
DFB: -20 a +85℃FP: -10 a +80℃; APD: -40 a +85℃
Monitor de fotodiodo
DFB: Integrado; FP: Opcional; APD: N/A
Característica clave
DFB: Heteroestructura Enterrada; FP: Monomodo; APD: Baja Corriente Oscura
Aplicación Principal
Telecomunicaciones, Comunicación de Datos; Indicación; Receptor Analógico

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

Logotipo personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Personalización gráfica(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
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