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CXDB4CBAM-ML-A 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 2Gbit 200-FBGA (10x15) SDRAM Móvil LPDDR4X

Sin reseñas
EUR5524
1-9 unidades
EUR5350
≥10 unidades
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Especificación

200-FBGA (10x15)

Código de fecha de fabricación

-

Características principales

Marca

ChangXin Memory Technologies, Inc.

Número de pieza del fabricante

CXDB4CBAM-ML-A

Tipo

SDRAM Móvil LPDDR4X

Tamaño de la memoria

8Gbit

Lugar del origen

Anhui, China

Descripción

1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 2Gbit 200-FBGA (10x15) SDRAM Móvil LPDDR4X

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Características clave

Marca
ChangXin Memory Technologies, Inc.
Número de pieza del fabricante
CXDB4CBAM-ML-A
Tipo
SDRAM Móvil LPDDR4X
Tamaño de la memoria
8Gbit
Lugar del origen
Anhui, China
Descripción
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 2Gbit 200-FBGA (10x15) SDRAM Móvil LPDDR4X
Tipo de embajaje
500 unidades / Cinta y carrete
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
200-FBGA (10x15)
Tipo de memoria
SDRAM Móvil LPDDR4X
La tecnología
SRAM
-Tensión de alimentación
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Tipo de memoria
Volátil
Formato de memoria
DRAM
Interfaz de memoria
LVSTL
Tiempo de acceso
-
Grado
-
Calificación
-

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.001 kg

Tiempo de entrega